InSb相关论文
对于芯片加速寿命可靠性试验来说，温度是其中最重要的一环。首先，立足于芯片可靠性试验中温度的变化，探究高温烘烤对InSb红外探测器芯......
响应波段在1～5.5μm的锑化铟（InSb）红外焦平面探测器具有灵敏度高（相对于铂硅Pt Si）、工艺成熟度高（相对于碲镉汞MCT）等优点,目前已被广泛......
本文分别以加双氧水的化学机械抛光和未加双氧水的纯机械抛光方式对InSb晶片进行表面处理,通过分析氧化膜的生成,以及对InSb晶片的......
Photonic spin Hall effect and terahertz gas sensor via InSb-supported long-range surface plasmon res
The photonic spin Hall effect (SHE),featured by a spin-dependent transverse shift of left-and right-handed circularly po......
本文从理论上分析了InSb红外器件的光电性能参数,通过器件光电性能等效电路的讨论,建立了各电性能参数之间的关系方程.从理论上拟......
研制成功了采用光伏InSb二极管列阵工艺、直接注入Si-CMOS读出电路、微型玻璃杜瓦和微型节流致冷机的64×64元InSb红外焦平面组件.......
本文通过采用X射线双晶衍射的方法,对经过研磨、抛光的InSb晶片进行检测,研究晶片表面损伤,得出损伤层的大致范围,并把实验结果运......
会议
用Co60作γ辐照源对InSb光伏二极管列阵和InSb凝视红外焦平面器件进行了高能辐照损伤实验.在5000rad剂量下观测到二极管优值因子Ro......
本文采用焦平面探测器均匀性作为衡量InSb芯片承受应力的方法,通过工艺改进有效地降低了应力水平,提高了128×128 InSb焦平面探测......
在诸多影响红外探测器性能稳定性的因素中,InSb表面的自然氧化是其中的一种,本文通过XPS和SAMAuger对InSb表面的氧化物含量与接触......
近年来，异质结纳米材料由于其新颖的结构及独特的光电特性，引起了广泛而深入的研究.作为异质结纳米材料的一种，半导体异质结纳米线由......
用TEA CO2激光器输出的脉宽为100ns(FWHM),波长为10.6μm的激光脉冲,在室温下入射InSb F-P标准具,得到了双光子机制的光学双稳性。......
利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,对N掺杂闪锌矿结构InSb晶体的电子结构和电子性质进行了研究.研究发现掺N后体系的晶格......
Effect of substrate miscut on the electron mobility in InSb（001） structures on Ge and Ge-on-insulato
InSb epilayers 和 InSb/Al0.20In0.80Sb 量井被分子的横梁取向附生在 Ge (001 ) 底层和 Ge-on-insulator (GeOI )-on-Si(001) 底......
用TEA CO_2激光器输出的脉宽为100ns(FWHM),波长为10.6μm的激光脉冲,在室温下入射InSb F-P标准具,得到了双光子机制的光学双稳性......
低温凝聚InSb膜,底板温度的改变可以诱导金属-半导体转变。金属型非晶InSb以电子导电为主,半导体型非晶InSb则以空穴导电为主。金......
低温凝聚InSb膜,底板温度的改变可以诱导金属-半导体转变。金属型非晶InSb,以电子导电为主,半导体型非晶InSb则以空穴导电为主。金......
一九九六年五月廿二日国家高技术计划信息获取与处理技术专家组在上海召开了“InSb红外焦平面器件”项目验收会。308主题专家组和......
测量了ｎ型ＩｎＳｂ金属－绝缘体—半导体（ＭＩＳ）器件的磁量子电容谱，发现ｐ型沟道中二维空穴子带对磁场有很大的依赖关系，对这种依赖关系作出了定性的解释......
3.3.晶胞Aladdin晶胞是一种三晶体管设计,而不是以前所用的比较传统的四晶体管方案。这样做的目的是出于提高产额和读出速度方面......
激光划片是半导体工业中一种有效的划片方法。目前在半导体材料划片中多采用调 Ｑ Ｎｄ： Ｙ Ａ Ｇ 激光器。脉冲重复频率是这种激光器的一个重......
采用散射理论的格林函数方法计算了InSb(211)A,B两类表面的电子结构,分别给出了两类表面的表面投影能带结构,分析了各表面态的轨道......
InSb凝视红外焦平面组件是一种先进的红外探测和成像组件,它不但可以用于像导弹成像制导和红外搜索跟踪之类的先进武器系统,而且......
随着化合物半导体的发展,化学比对半导体电学性质的影响受到了越来越多的注意。但过去这方面的研究多集中在PbS、CdTe、Bi_2Te_3......
本文用垂直的Bridgman—Stockbarger方法,研究了在大温度梯度下,InSb-NiSb共晶单向凝固速度R与其NiSb纤维间距λ的关系,得出结果为......
利用感应耦合等离子体(ICP)进行了InSb刻蚀研究。为了实现高的刻蚀速率同时保证光滑的刻蚀表面,研究中在CH4/H2/Ar气氛中引入了Cl2......
为明确InSb芯片前表面结构缺陷和背面减薄工艺对InSb芯片变形的影响,本文采用降低InSb芯片法线方向杨氏模量的方式,基于热冲击下In......
利用不同功率密度的10.6μm(光子能量为0.12 eV)连续激光辐照了禁带宽度为0.228 eV的光导型锑化铟探测器,得到了与以往报道不同的......
液氮冲击中InSb面阵探测器表面经常出现局部分层、开裂等失效模式.为明晰材料分层、光敏元芯片断裂过程,基于三维等效建模设想,在......
运用系宗蒙特卡罗法计算了强THz场作用下,n型掺杂的GaAs和InSb中随时间变化的散射机制以及载流子非线性动力学演变,获取了电子散射......
势垒层探测器由White A M在1983年提出,nBn结构是其中的一种类型,其最大的特点是用高势垒层代替了传统pn结结构中的耗尽层,可以有......
研究了InSb红外焦平面探测器的区域性过热盲元问题。通过故障分析以及有针对性的排查对比试验,排除了封装、胶水填充和划片等因素,......
InSb原料因含受主杂质,制备出的InSb晶体通常呈P型特性,其迁移率低无法满足低温(77 K)时红外探测器需求。为了获得高迁移率特性,通......
工作在中波（35μm）的探测器具有广泛的应用。对于快速响应的光子探测器领域,Ⅱ-Ⅵ族的HgCdTe（碲镉汞）器件取得了很多重要成果,目前仍然......
用原料纯度比其他人低一级的5N的铟、锑和光谱纯镍,用Bridgman垂直单向凝固方法可以制取10KG磁感的电阻值(R_(10))和零磁场电阻值(......
近年来使用激光来热处理材料表面的工作(如激光上釉等),受到了相当大的重视。用短脉冲激光器已获得了非晶态硅等薄膜。根据Bloemb......
Ｊ—Ｔ制冷器对ＩｎＳｂ探测器噪声的影响航天工业总公司三院八三五八所张文全，周赞熙，兰学强，朱建华Ｊ—Ｔ制冷器是ＩｎＳｂ红外探测器的重要组成部件之一。探......
利用真空下氩气保护液相重结晶的方法，对热蒸镀和磁控贱射制得的Insb薄膜进行热处理．X射线衍射和组织分析的结果表明：热处理前薄膜为I......
本文介绍了InSb薄膜制备工艺技术的研究成果,系统地阐述了InSb薄膜的工艺机理与制备技术,指出了制备InSb薄膜过程中所需解决的技术......
用射频磁控测射的方法制备了镶嵌在SiO2 薄膜中的纳米InSb颗粒 .透射电子显微镜观察表明 ,纳米InSb颗粒均匀地镶嵌在SiO2 介质中 .......
